| 发明名称 | 多栅极场效应晶体管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有鳍状结构的多栅极场效应晶体管结构及其制造方法，该鳍状结构用于在其中形成该多栅极场效应晶体管结构的晶体管沟道，该鳍状结构是在SOI型结构的埋入绝缘体上从所述SOI型结构的至少一个有源半导体层起形成的，所述方法包括以下步骤：提供SOI型基板，该SOI型基板包括至少一个有源半导体层、一埋入绝缘体以及一载体基板；以及在所述绝缘体上从所述半导体层起形成一鳍状结构，所述鳍状结构形成了用于该多栅极场效应晶体管结构的晶体管沟道的区域。本发明的目的是提供一种多栅极场效应晶体管结构及其制造方法，其中，可以近乎理想地制备出这种多栅极场效应晶体管结构，从而解决几个相关问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101388344A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810215910.6 | 申请日期 | 2008.09.09 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 保罗·帕特诺 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 辉 |
| 主权项 | 1、一种用于制造多栅极场效应晶体管结构(1)的方法，该方法包括以下步骤：提供SOI型基板，该SOI型基板包括至少一个有源半导体层、一埋入绝缘体以及一载体基板(9)；以及在所述绝缘体上从所述半导体层起形成鳍状结构(2)，所述鳍状结构(2)形成了用于该多栅极场效应晶体管结构(1)的晶体管沟道的区域，其特征在于所述绝缘体包括由介电常数比二氧化硅要高的材料制成的至少一个高k层。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||