发明名称 | 电阻式存储器及其修补方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种电阻式存储器及其修补方法,包括:对电阻式存储器执行多数个设定-重置动作循环;并且,检测电阻式存储器在设定-重置动作循环后是否产生过设定状态;以及,在当过设定状态发生时,对电阻式存储器执行加强重置动作,其中,加强重置动作通过在加强重置时间区间中提供加强重置电压来进行,加强重置时间区间与加强重置电压的乘积大于重置时间区间与该重置电压的乘积。 | ||
申请公布号 | CN105761749A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
申请号 | CN201410776745.7 | 申请日期 | 2014.12.15 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 林孟弘;吴伯伦;沈鼎瀛 |
分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 马雯雯;臧建明 |
主权项 | 一种电阻式存储器的修补方法,其特征在于,包括:对该电阻式存储器执行多数个设定‑重置动作循环,各该设定‑重置动作循环包括设定动作以及重置动作,其中,通过在设定时间区间中提供设定电压至该电阻式存储器以进行该设定动作,通过在重置时间区间中提供重置电压至该电阻式存储器以进行该重置动作;检测该电阻式存储器在该些设定‑重置动作循环后是否产生过设定状态;以及在当该过设定状态发生时,对该电阻式存储器执行加强重置动作,其中,该加强重置动作通过在加强重置时间区间中提供加强重置电压来进行,该加强重置时间区间与该加强重置电压的乘积大于该重置时间区间与该重置电压的乘积。 | ||
地址 | 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 |