发明名称 -K LOW-K DIELECTRIC LAYER WITH REDUCED DIELECTRIC CONSTANT AND STRENGTHENED MECHANICAL PROPERTIES
摘要 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 집적 회로 내에 저-k 유전체 다공성 실리콘 옥시카본 층을 형성하기 위한 방법 및 장치를 제공한다. 일 실시예에서, 포로겐 및 벌크 층 함유 실리콘 옥시카본 층을 증착하고, 벌크 층을 동시에 가교시키지 않으면서, 형성된 층으로부터 포로겐들을 선택적으로 제거하고, 그 후에, 벌크 층 재료를 가교시키기 위한 방법이 제공된다. 다른 실시예들에서, 다수의 실리콘 옥시카본 하위층들을 증착하고, 하위-층의 벌크 재료를 동시에 가교시키지 않으면서, 각각의 하위-층으로부터 포로겐들을 선택적으로 제거하고, 별개로 하위-층들을 가교시키기 위한 방법들이 제공된다.
申请公布号 KR20160123357(A) 申请公布日期 2016.10.25
申请号 KR20167025418 申请日期 2015.02.16
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 KIM TAEWAN;YIM KANG SUB;DEMOS ALEXANDROS T.
分类号 H01L21/02;C23C16/40;C23C16/505;C23C16/56 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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