一种硅碳基高温氢气传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅碳基高温氢气传感器，包括单晶硅基板(1)，在单晶硅基板(1)上依次设有二氧化硅层(2)、硅碳基薄膜层(3)、SiAlCO层(4)和电极(5)。制备方法按下述步骤进行：①对单晶硅基板进行预清洗；②重复3‑4遍步骤①，再在真空干燥箱中烘干；③在真空条件下对单晶硅基板进行离子束溅射清洗；④在氩气作为工作气体的环境下，采用磁控溅射的方法将靶材溅射到衬底上；⑤在基板溅射单元制作电极形成传感器。本发明具有优异气敏特性和高温可靠性的特点。

主权项

一种硅碳基高温氢气传感器，其特征在于：包括单晶硅基板(1)，在单晶硅基板(1)上依次设有二氧化硅层(2)、硅碳基薄膜层(3)、SiAlCO层(4)和电极(5)。