| 发明名称 | 单晶部件的加工方法 | ||
| 摘要 | 提供单晶部件的加工方法，能够高效率地实施期望的厚度的激光加工。一种单晶部件的加工方法，其特征在于，包含如下的各步骤：将脉冲激光光线的峰值能量密度设定为1TW/cm<sup>2</sup>～100TW/cm<sup>2</sup>的范围，并将脉冲激光光线的聚光点定位于从单晶部件的上表面起的规定的位置而对单晶部件照射脉冲激光光线，使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质从单晶部件的上表面起生长而形成盾构隧道。 | ||
| 申请公布号 | CN105834579A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610059155.1 | 申请日期 | 2016.01.28 |
| 申请人 | 株式会社迪思科 | 发明人 | 森数洋司 |
| 分类号 | B23K26/03(2006.01)I;B23K26/06(2014.01)I;B23K26/38(2014.01)I;B23K26/40(2014.01)I | 主分类号 | B23K26/03(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;于靖帅 |
| 主权项 | 一种单晶部件的加工方法，其特征在于，将脉冲激光光线的峰值能量密度设定为1TW/cm<sup>2</sup>～100TW/cm<sup>2</sup>的范围，将脉冲激光光线的聚光点定位于从单晶部件的上表面起的规定的位置而对单晶部件照射脉冲激光光线，使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质从单晶部件的上表面起生长而形成盾构隧道。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||