发明名称 光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶
摘要 本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层,其特征在于,含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下,称为X金属)的氧化物和氧化Pd,该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd,且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4~85原子%。
申请公布号 CN105931654A 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201610230364.8 申请日期 2010.09.16
申请人 株式会社神户制钢所;索尼株式会社 发明人 田内裕基;志田阳子;三木刚;曾根康宏
分类号 G11B7/2433(2013.01)I;G11B7/2437(2013.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 G11B7/2433(2013.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 雒运朴
主权项 一种光信息记录介质用记录层,其特征在于,是通过激光的照射进行记录的记录层,其中,所述光信息记录介质用记录层是如下的记录层:含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的X金属的氧化物和氧化Pd,该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd,且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4~85原子%,所述记录层的结构为非晶。
地址 日本兵库县