| 摘要 |
본 발명의 일 실시예는 하부 게이트전극과, 하부 게이트전극을 덮는 제1절연층과, 제1절연층 위에 위치하며, 아일랜드 형상의 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층 위에 위치하며, 아일랜드 형상의 내부 전극과, 산화물 반도체층 위에 위치하며, 상기 내부 전극을 둘러싸는 외부 전극과, 산화물 반도체층을 덮는 제2절연층, 및 제2절연층 위에 위치하는 상부 게이트전극을 포함하며, 내부 전극은 산화물 반도체층의 중심영역 상에 위치하고, 외부 전극은 상기 중심영역을 둘러싸는 외곽영역 상에 위치하며, 산화물 반도체층은 중심영역과 외곽영역 사이에 개재되며 중심영역을 둘러싸는 중간영역을 포함하며, 하부 게이트전극과 상부 게이트전극은 산화물 반도체층의 상기 중간영역을 가운데 두고 서로 마주보도록 배치된 박막트랜지스터를 구비한 박막트랜지스터 기판을 개시한다. |
