Semiconductor integrated circuit device and fabricating method the device

摘要

반도체 집적회로 장치의 제조방법이 제공된다. 반도체 집적회로 장치의 제조방법은 제1 농도의 제1 도전형의 기판을 준비하고, 블랭크 임플란트(blank implant)를 이용하여, 제1 농도보다 높은 제2 농도의 제1 도전형의 불순물을 포함하는 매몰 불순물층을 형성하고, 매몰 불순물층이 형성된 기판 상에 에피층을 형성하고, 에피층 내부 또는 상부에 반도체 소자 및 소자 분리 영역을 형성하는 것을 포함한다.