| 摘要 |
반도체 소자 제조방법이 개시된다. 본 방법은, 기판 상에 제1 반도체층을 마련하는 단계, 제1 반도체층 상에 기 설정된 폭을 갖는 마스크층을 형성하여 제1 반도체층을 건식 식각하는 단계, 제1 반도체층의 폭이 마스크층의 폭보다 작은 폭을 갖도록 건식 식각된 제1 반도체층의 측면을 습식 식각하는 단계, 마스크층을 제거하는 단계, 건식 식각 및 습식 식각에 의해 제1 반도체층이 제거된 부분에 절연층을 형성하는 단계, 제1 반도체층과 절연층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. |
