具有应变沟道的互补式金属氧化物半导体及其制作方法

摘要

本发明揭示一种具有应变沟道的互补式金属氧化物半导体，主要是包括：一半导体基底、设置于上述半导体基底内的多个沟槽隔离区、氮化物衬垫层、一离子注入氮化物衬垫层、一N型沟道晶体管以及一P型沟道晶体管。其中，相邻两沟槽隔离区之间各定义出一有源区，有源区包括一N型有源区与一P型有源区。另外，氮化物衬垫层，保行性设置于上述N型有源区两侧的上述沟槽隔离区与上述半导体基底之间。再者，离子注入氮化物衬垫层，保行性设置于上述P型有源区两侧的沟槽隔离区与半导体基底之间。并且，N型沟道晶体管，设置于N型有源区上方。以及，P型沟道晶体管，设置于P型有源区上方。

主权项

1.一种具有应变沟道的互补式金属氧化物半导体，其特征在于，所述互补式金属氧化物半导体包括：一半导体基底；多个沟槽隔离区，设置于上述半导体基底内，使得相邻两上述沟槽隔离区之间各定义出一有源区，其中上述有源区包括一N型有源区与一P型有源区；氮化物衬垫层，保行性设置于上述N型有源区两侧的上述沟槽隔离区与上述半导体基底之间；一离子注入氮化物衬垫层，保行性设置于上述P型有源区两侧的上述沟槽隔离区与上述半导体基底之间；一N型沟道晶体管，设置于上述N型有源区上方；以及一P型沟道晶体管，设置于上述P型有源区上方。