半导体器件、配线基板及其制造方法

摘要

配线基板(20)包括具有多个配线层(1)和多个外部连接突起(5)的第一配线部分(10)，以及在厚度方向上与第一配线部分集成的第二配线部分(15)。将第二配线部分的热膨胀系数制作得小于第一配线部分的热膨胀系数，并等于在配线基板上安装的半导体芯片(30)的热膨胀系数。这抑制了由半导体芯片和配线基板之间的热膨胀系数差值导致的内部应力，并增加了通过将半导体芯片安装到配线基板上获得的半导体器件(50)的可靠性。也可将第一和第二配线部分的相对表面的尺寸制作成相同。即使当通过将多个半导体芯片安装到配线基板上来提高半导体器件性能时，这也仅需要形成一个第二配线部分，从而能够以低成本提高性能。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于包括：配线基板，其包括在厚度方向上的一侧表面上设置的多个连接端子，和在厚度方向上的另一侧表面上设置的多个外部连接突起；和连接到所述连接端子的至少一个半导体芯片，其中所述配线基板包括：第一配线部分，其包括多个配线层和所述外部连接突起；和第二配线部分，其与所述第一配线部分电连接，并在厚度方向上与所述第一配线部分集成，所述连接端子由在厚度方向上贯穿所述第二配线部分延伸的通孔中形成的接触插塞构成；所述第一配线部分和所述第二配线部分的相对表面的尺寸相同，和所述第二配线部分的热膨胀系数小于所述第一配线部分的热膨胀系数，并等于所述半导体芯片的热膨胀系数。