| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种存储器件，该存储器件包括：第一有源区，在基底上；第一源/漏区和第二源/漏区，在基底上，第一源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第一侧壁，第二源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第二侧壁。第一栅结构设置在第一源/漏区和第二源/漏区之间的第一有源区上。第二有源区设置在位于第一源/漏区和第二源/漏区之间并毗邻第一源/漏区和第二源/漏区的第一栅结构上。第二栅结构设置在位于所述第一栅结构上面的第二有源区上。 | ||
| 申请公布号 | CN101118909A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200710104475.5 | 申请日期 | 2007.04.23 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 尹恩贞;李成泳;吕京奂;金旻相;金成玟 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;安宇宏 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，包括：第一有源区，在基底上；第一源/漏区和第二源/漏区，在所述基底上，所述第一源/漏区毗邻所述第一有源区中对应的第一侧壁，所述第二源/漏区毗邻所述第一有源区中对应的第二侧壁；第一栅结构，在所述第一源/漏区和所述第二源/漏区之间的第一有源区上；第二有源区，在位于所述第一源/漏区和所述第二源/漏区之间并毗邻所述第一源/漏区和所述第二源/漏区的第一栅结构上；第二栅结构，在所述第二有源区上，位于所述第一栅结构的上面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 | ||