双半桥注入锁相功率合成无极灯

摘要

本发明涉及电光源照明技术领域，具体是一种双半桥注入锁相功率合成无极灯。包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、无极灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片4、6、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器，两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R₄、电容C₅同步振荡，自振荡芯片4及半桥逆变器A输出功率变压器T₁与自振荡芯片6及半桥逆变器B输出功率变压器T₂反相馈入相加耦合器，功率合成经磁环电感耦合到灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。本发明适用于大功率无极灯照明场合。

主权项

一种双半桥注入锁相功率合成无极灯，包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、无极灯管，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、型号IR2153两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，第一个反相器输入与输出两端分别连接电容C₁、C₂的一端，电容C₁、C₂的另一端接地，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器整形缓冲接入分频器，自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R₁₁、电容C₁₅同步振荡，自振荡芯片的输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B，自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T₂与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T₃反相馈入相加耦合器，功率合成经磁环电感L₁₃、L₁₄耦合到无极灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器C_T端锁定相位，灯管异常电流检测器信号经灯异常检测磁环电感L₁₂一端接二极管VD₁₅阳极，另一端接地，电容C₂₂、电阻R₁₉的一端并联二极管VD₁₅阴极，电容C₂₂、电阻R₁₉的另一端接地，二极管VD₁₅阴极经电阻R₁₅、R₁₆分压接三极管触发两个自振荡芯片RC振荡器C_T端控制振荡快速停振，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及半桥逆变器A和自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端；功率因数校正APFC由型号L6562芯片IC₄、大功率MOS场效应管Q₁、升压二极管VD₁₁、磁性变压器T₁及电阻、电容组成，整流桥堆VD_1～4输出电压经磁性变压器T₁电感L₃接Q₁漏极、升压二极管VD₁₁的阳极，VD₁₁阴极接电容C₁₁一端，电容C₁₁的另一端接地，所述电容C₁₁上的电压作为APFC输出直流电压+400V，电阻R₄引入整流桥堆输出电压提供芯片IC₄电源VCC，磁性变压器T₁电感L₄经二极管VD₅检波电压为芯片IC₄控制门限开启，电阻R₂、R₃接整流桥堆输出分压取样接入芯片IC₄乘法器输入端MULT，电阻R₈、R₉分压取样输出电压接芯片IC₄误差放大器输入端INV，芯片IC₄输出端OUT经限流电阻R6接场效应管Q₁栅极，Q₁源极与接地电阻R₇的连接点连接芯片IC₄的脉宽调制比较器端CS，磁性变压器T₁电感L₅高频电压经四个二极管VD₆～VD₉构成的桥式整流电路整流、二极管VD₁₀稳压、电容C₁₂滤波后接基准晶振、分频器电源端。