发明名称 |
像素结构与其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种像素结构与其制造方法,像素结构的制造方法包括下列步骤。在基板上形成栅极以及与栅极连接的扫描线。于基板上形成绝缘层,并且图案化绝缘层以形成对应于栅极的开口。形成栅极绝缘层以覆盖栅极及扫描线。于栅极绝缘层上形成通道层,且通道层位于开口中。于通道层上形成第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层,且第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层位于开口中。在第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层上形成源极、漏极以及与源极连接的数据线。形成第一电极,其中第一电极与漏极电连接。 |
申请公布号 |
CN105932176A |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201610307519.3 |
申请日期 |
2016.05.11 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
张吉和 |
分类号 |
H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陈小雯 |
主权项 |
一种像素结构的制造方法,包括:在一基板上形成一栅极以及与该栅极连接的一扫描线;在该基板上形成一绝缘层,并且图案化该绝缘层以形成对应于该栅极的一开口;形成一栅极绝缘层以覆盖该栅极及该扫描线;在栅极绝缘层上形成一通道层,且该通道层位于该开口中;在该通道层上形成一第一欧姆接触层及一第二欧姆接触层,且该第一欧姆接触层及该第二欧姆接触层位于该开口中;在该第一欧姆接触层及该第二欧姆接触层上形成一源极、一漏极以及与该源极连接的一数据线;以及形成一第一电极,该第一电极与该漏极电连接。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |