通孔垂直结构的半导体芯片及其制造方法

摘要

本发明揭示通孔垂直结构的半导体芯片或器件。带有防静电二极管的通孔垂直结构半导体芯片或器件的结构如下：半导体芯片或器件的外延层键合在带有防静电二极管的金属化硅支持芯片的第一面上；外延层的第一类型限制层通过电流扩散层、半通孔/金属填充塞、通孔/金属填充塞与金属化硅支持芯片的第二面上的第一电极电联接；第二类型限制层通过反射/欧姆/键合层、另一通孔/金属填充塞与金属化硅支持芯片的第二面上的第二电极电联接；形成垂直结构的半导体芯片或器件。外界电源向金属化硅支持芯片的第二面上的第一和第二电极供电，无需金线联接。

主权项

1.一种通孔垂直结构的半导体芯片，其特征在于，包括：一半导体外延层；一金属化支持芯片；所述的金属化支持芯片的第一面与所述的半导体外延层的一面键合在一起；所述的半导体外延层的另一面暴露；其中，所述的金属化支持芯片的第二面上形成互相电绝缘的第一和第二电极；所述的金属化支持芯片第二面上的第二电极通过通孔中的金属填充塞与第一面上的金属层电连接；所述的金属化支持芯片第二面上的第一电极与另外的通孔中的金属填充塞电连接；一保护层；其中，所述的保护层层叠在所述的金属化支持芯片的第一面的暴露的晶面上并覆盖在所述的金属化支持芯片的另外的通孔中的金属填充塞上；一图形化的电极；其中，所述的图形化的电极层叠在所述的保护层和所述的半导体外延层的暴露的表面上；一半通孔中的金属填充塞；其中，所述的半通孔中的金属填充塞穿过所述的保护层，把所述的图形化的电极和所述的金属化支持芯片的另外的通孔中的金属填充塞电连接。