| 发明名称 | 静电放电保护电路 | ||
| 摘要 | 一种静电放电保护元件，包括一半导体层、形成于该层中的一源极区、形成于该层中之一漏极区、位于介于该源极与漏极区间该层中的一通道、该通道区上方的一栅极。多个分流器区段分布于该漏极区上且延伸于该栅极与漏极接触点之间。该多个区段可由多晶硅或一隔离氧化物形成。 | ||
| 申请公布号 | CN100466249C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN01143893.2 | 申请日期 | 2001.12.12 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 林锡聪;陈伟梵;连振炘;林琬芸 |
| 分类号 | H01L23/62(2006.01) | 主分类号 | H01L23/62(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种静电放电保护元件，其特征在于，包括：一基底；一第一N+扩散区，形成于该基底中；一第二N+扩散区，形成于该基底中、与该第一N+扩散区邻近且间隔；多个接触点，形成于该第一N+扩散区，与该第一N+扩散区导电连接；一通道，形成于该第一与第二N+扩散区间的一第三区域中；及一细长形分流器，延伸于该通道与这些接触点的一区域之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 | ||