| 发明名称 | 一种超薄晶圆的加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超薄晶圆的加工方法，包括以下步骤：(1)将需要减薄处理的晶圆的周缘圆弧部分去除，使得所述晶圆的周缘呈直角状；(2)在去除周缘圆弧部分的晶圆的正面贴一保护膜；(3)研磨所述晶圆的背面对所述晶圆进行减薄处理，减薄至规定厚度；(4)撕去粘贴在所述晶圆正面上的保护膜，得到符合要求的减薄处理后的晶圆。本发明的有益效果在于：1、加工简单；2、易于贴膜；3、且硅片后续的加工工艺和传统的方法兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN105742173A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610119055.3 | 申请日期 | 2016.03.02 |
| 申请人 | 上海朕芯微电子科技有限公司 | 发明人 | 鲍利华;张迪雄;黄平 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人 | 吕伴 |
| 主权项 | 一种超薄晶圆的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将需要减薄处理的晶圆的周缘圆弧部分去除，使得所述晶圆的周缘呈直角状；(2)在去除周缘圆弧部分的晶圆的正面贴一保护膜；(3)研磨所述晶圆的背面对所述晶圆进行减薄处理，减薄至规定厚度；(4)撕去粘贴在所述晶圆正面上的保护膜，得到符合要求的减薄处理后的晶圆。 | ||
| 地址 | 201407 上海市奉贤区海湾镇场中路198号11幢110室 | ||