| 发明名称 | 多晶硅及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有10至40mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。本发明还涉及多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用压缩空气或干冰进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁。 | ||
| 申请公布号 | CN105803528A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610307630.2 | 申请日期 | 2011.08.25 |
| 申请人 | 瓦克化学股份公司 | 发明人 | R·佩赫;E·多恩贝格尔 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;B08B5/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 李振东;过晓东 |
| 主权项 | 多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有10至40mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||