用于制造太阳能电池元件的方法

摘要

一种用于制造太阳能电池元件的方法，该方法包括：制备层压体和腔室的步骤（a），在步骤（a）之后使层压体与水溶液接触使得第二表面浸入到水溶液中的步骤（b），在步骤（b）之后在惰性气体的气氛下在阳极与层压体之间施加电压差以在第二表面上形成Zn层的步骤（c），以及在步骤（c）之后使Zn层暴露于氧以使Zn层转化成ZnO结晶层的步骤（d）。

主权项

一种用于制造太阳能电池元件的方法，所述方法包括：制备层压体(1)和腔室(5)的步骤(a)，其中所述层压体(1)包括p侧第III族‑第V族化合物电极层(2)、p型第III族‑第V族化合物半导体层(31)、n型第III族‑第V族化合物半导体层(32)、和n侧第III族‑第V族化合物电极层(4)，所述n侧第III族‑第V族化合物电极层(4)包括第一表面(4a)和第二表面(4b)，所述p型第III族‑第V族化合物半导体层(31)介于所述p侧第III族‑第V族化合物电极层(2)与所述n型第III族‑第V族化合物半导体层(32)之间，所述n型第III族‑第V族化合物半导体层(32)介于所述p型第III族‑第V族化合物半导体层(31)与所述第一表面(4a)之间，所述第二表面(4b)在所述层压体(1)的表面露出，并且所述腔室(5)具有水溶液(6)和惰性气体(7)；在步骤(a)之后，使所述层压体(1)与所述水溶液(6)接触使得所述第二表面(4b)浸入到所述水溶液(6)中的步骤(b)；在步骤(b)之后，在所述惰性气体(7)的气氛下，在阳极(71)与所述层压体(1)之间施加电压差以在所述第二表面(4b)上形成Zn层(81)的步骤(c)，其中所述腔室(5)填充有所述惰性气体(7)，所述水溶液(6)含有浓度不小于1mM且不大于5M的Zn²⁺离子，所述水溶液(6)不含有氧，所述阳极(71)与所述水溶液(6)接触，所述层压体(1)用作阴极，所述水溶液(6)具有不小于10摄氏度且不大于60摄氏度的温度，并且所述Zn层(81)在其表面上具有凹凸结构；以及在步骤(c)之后，使所述Zn层(81)暴露于氧以使所述Zn层(81)转化成ZnO结晶层(82)的步骤(d)。