| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips (61, 62), mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), B) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Aufwachssubstrat (1), C) Aufbringen eines elektrischen Kontakts (3) auf die dem Aufwachssubstrat (1) angewandte Rückseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (2), D) Ausdünnen des Aufwachssubstrats (1), E) Aufbringen der Konversionsschicht (4) auf das ausgedünnte Aufwachssubstrat (1), und F) Vereinzeln zumindest des ausgedünnten Aufwachssubstrates (1) und der Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von mindestens zwei optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips (61, 62). |
