发明名称 ANODIZED SHOWERHEAD
摘要 본 명세서에 개시된 실시예들은 일반적으로 양극산화처리된 가스 분배 샤워헤드를 가진 장치에 관한 것이다. 대면적 평행판 RF 처리 챔버에서, RF 회귀 경로를 마스터하는 것은 힘들 수 있다. 아킹은 RF 처리 챔버에서 자주 만나는 문제이다. RF 처리 챔버에서의 아킹을 저감시키기 위해, RF 회귀 경로를 줄이도록 스트랩이 서셉터에 접속될 수 있고, 세라믹 또는 절연성 또는 양극산화처리된 셰도우 프레임이 처리 과정중에 서셉터에 접속될 수 있으며, 양극산화처리된 코팅이 챔버 벽체와 가장 근접한 고온 샤워헤드의 에지에 증착될 수 있다. 상기 양극산화처리된 코팅은 샤워헤드와 챔버 벽체 간의 아킹을 줄일 수 있으며, 그에 따라 박막 특성을 향상시키고 증착속도를 증대시킨다.
申请公布号 KR101634714(B1) 申请公布日期 2016.06.30
申请号 KR20117029814 申请日期 2010.05.13
申请人 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 发明人 최, 수 영;안와르, 수하일;후루타, 가쿠;박, 범수;티너, 로빈 엘.;화이트, 존 엠.;쿠리타, 시니치
分类号 C23C16/44;C23C16/455;C23C16/509;H01J37/32;H01L21/67 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
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