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Hierin ist ein bipolarer Transistor offenbart, der in der Lage ist, eine Stromverstärkungsrate zu verbessern, während eine Spannungsfestigkeit verbessert wird. Ein bipolarer Transistor 10 ist mit einem Emitterbereich 40 des p-Typs, einem Kollektorbereich 20 des p-Typs, einem Basisbereich 30 des n-Typs, der zwischen dem Emitterbereich 40 und dem Kollektorbereich 20 lokalisiert ist, einem ersten eingebetteten Bereich 50 des p-Typs, der unter dem Basisbereich 30 lokalisiert ist, und einem Bereich 18 des n-Typs, der eine niedrigere Verunreinigungskonzentration des n-Typs hat als der Basisbereich 30, bereitgestellt. Der Basisbereich 30 ist mit einem ersten Bereich 32 hoher Konzentration und einem Bereich 34 niedriger Konzentration, der über dem ersten eingebetteten Bereich 50 positioniert ist, und einem zweiten Bereich 35 hoher Konzentration, der auf einer Seite des Kollektorbereichs 20 bezogen auf den Bereich 34 niedriger Konzentration positioniert ist, bereitgestellt, wobei der zweite Bereich 35 hoher Konzentration eine höhere Verunreinigungskonzentration des n-Typs als der Bereich 34 niedriger Konzentration hat. |
