| 发明名称 | 半导体装置用薄膜以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到半导体装置用薄膜，将该半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹。本发明的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，设覆盖薄膜的厚度为Ta、设切割薄膜的厚度为Tb时，Ta/Tb在0.07～2.5的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN103081068B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201180042794.2 | 申请日期 | 2011.08.29 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 天野康弘;井上刚一 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;B32B7/06(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种半导体装置用薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，设所述覆盖薄膜的厚度为Ta、设所述切割薄膜的厚度为Tb时，Ta/Tb在0.07～2.5的范围内，在温度23±2℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中，所述胶粘薄膜与所述覆盖薄膜间的剥离力F1在0.025～0.075N/100mm的范围内，所述胶粘薄膜与所述切割薄膜间的剥离力F2在0.08～10N/100mm的范围内，所述F1与所述F2满足F1<F2的关系，所述带有切割片的胶粘薄膜被预切割。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||