非易失性存储器、其制造方法及该存储器的写入读出方法

摘要

本发明提供非易失性存储器、其制造方法、以及该存储器的写入读出方法。即使没有进行大幅的制造装置的更新等也能够提高存储器的集成度，缩小芯片面积，从而实现成本降低。本发明的非易失性存储器的存储单元包括上部电极、下部电极、以及状态变化部，所述状态变化部存在于从该上部电极到下部电极之间且只能发生一次状态变化。该状态变化部构成为具有：第1半导体层，其由P型半导体或N型半导体中的任一方半导体构成；以及第2半导体层，其由所述P型半导体或N型半导体的另一方半导体构成，在所述第1半导体层的上下分别通过PN结部而设置。

主权项

1.一种非易失性存储器，所述非易失性存储器具有保持数据的存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：上部电极和下部电极；以及状态变化部，其存在于从该上部电极到下部电极之间，只能发生一次状态变化，所述状态变化部具有：第1半导体层，其由P型半导体或N型半导体中的任一方构成；以及第2半导体层，其由所述P型半导体或N型半导体中的另一方半导体构成，在所述第1半导体层的上下分别通过PN结部而设置。