| 发明名称 | PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种半导体功率晶体管技术，尤其是指一种PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管。按照本实用新型提供的技术方案，在底板上有铜块，在铜块上有管芯，在底板上设置晶体管基极的引出脚和发射极的引出脚，其特征是：所述管芯至少有3个，每个管芯分别利用内引线与晶体管基极的引出脚和发射极的引出脚连接。本实用新型利用多个PNP型达林顿大功率管芯装片焊接在特大铜块的金属管座上，制造出大电流大功率的PNP型达林顿晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN201210492Y | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200820037516.3 | 申请日期 | 2008.06.06 |
| 申请人 | 无锡固电半导体股份有限公司 | 发明人 | 龚利汀;钱晓平;龚利贞 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人 | 曹祖良 |
| 主权项 | 1、PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管，包括底板(1)及位于底板(1)上的铜块(2)，和位于铜块(2)上的管芯(3)，在底板(1)上设置晶体管基极的引出脚(5)和晶体管发射极的引出脚(7)，其特征是：所述管芯(3)至少有3个，每个管芯(3)分别利用内引线(6)与基极的引出脚(5)和发射极的引出脚(7)连接，并且，所有管芯(3)共用一个基极的引出脚(5)和发射极的引出脚(7)。 | ||
| 地址 | 214028江苏省无锡市新区新梅路68号 | ||