导电通孔结构

摘要

本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约0.15至0.55。本发明还提供了一种导电通孔结构。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：提供具有接触焊盘的衬底；在所述接触焊盘上方形成第一导电层；在所述第一导电层上方形成第一感光层；图案化所述第一感光层以在一部分所述接触焊盘的上方形成第一开口，其中，所述第一开口的宽度小于所述接触焊盘的宽度；在所述第一开口内电镀导电通孔；移除所述第一感光层；使用所述导电通孔作为掩模，移除部分所述第一导电层，直到剩余的所述第一导电层的外部边缘与所述导电通孔的外部边缘对齐；在所述衬底、所述接触焊盘和所述导电通孔上方形成钝化层，并通过研磨所述钝化层暴露出所述导电通孔；在所述导电通孔和所述钝化层上方形成第二导电层，其中，所述第二导电层宽于所述导电通孔；在所述第二导电层上方形成第二感光层；图案化所述第二感光层以形成大于所述导电通孔且完全暴露出所述导电通孔的第二开口；在所述第二开口中电镀导电柱；以及移除所述第二感光层；其中，所述导电通孔的第一宽度与所述导电柱的第二宽度的比值是0.15至0.55，所述导电通孔的的厚度为20‑30μm，所述导电柱的厚度为55‑60μm，并且所述导电通孔的厚度与所述导电柱的厚度的比值是0.33至0.55。