发明名称 |
Nahfeld-Wandler mit daran gekoppelter Haftschicht |
摘要 |
Ein System umfasst gemäß einer Ausführungsform einen Nahfeld-Wandler; eine Haftschicht auf einer dem Medium zugewandten Seite des Nahfeld-Wandlers, wobei die Haftschicht Ni und Cr umfasst; und eine Schutzschicht auf einer dem Medium zugewandten Seite der Haftschicht. Andere Systeme und Verfahren werden in zusätzlichen Ausführungsformen beschrieben. |
申请公布号 |
DE102016007220(A1) |
申请公布日期 |
2016.12.22 |
申请号 |
DE20161007220 |
申请日期 |
2016.06.14 |
申请人 |
HGST Netherlandes B.V. |
发明人 |
Bian, Xiaoping;Dai, Quing;Lam, Alan C.;Stipe, Barry C. |
分类号 |
G11B5/33 |
主分类号 |
G11B5/33 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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