发明名称 Nahfeld-Wandler mit daran gekoppelter Haftschicht
摘要 Ein System umfasst gemäß einer Ausführungsform einen Nahfeld-Wandler; eine Haftschicht auf einer dem Medium zugewandten Seite des Nahfeld-Wandlers, wobei die Haftschicht Ni und Cr umfasst; und eine Schutzschicht auf einer dem Medium zugewandten Seite der Haftschicht. Andere Systeme und Verfahren werden in zusätzlichen Ausführungsformen beschrieben.
申请公布号 DE102016007220(A1) 申请公布日期 2016.12.22
申请号 DE20161007220 申请日期 2016.06.14
申请人 HGST Netherlandes B.V. 发明人 Bian, Xiaoping;Dai, Quing;Lam, Alan C.;Stipe, Barry C.
分类号 G11B5/33 主分类号 G11B5/33
代理机构 代理人
主权项
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