发明名称 QUANTUM-DOT LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATION THE SAME
摘要 본 발명은 전하수송입자와 양자점으로 구성된 양자발광층 및 전하수송층을 용액 공정(Solution process)으로 형성한 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 발광 소자는 기판과; 상기 기판 상에 형성된 양극과; 상기 양극 상에 형성되며 전하수송입자와 양자점이 혼합된 양자발광층; 및 상기 양자 발광층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어진다.
申请公布号 KR101641367(B1) 申请公布日期 2016.07.21
申请号 KR20100047397 申请日期 2010.05.20
申请人 엘지디스플레이 주식회사;서울대학교산학협력단 发明人 곽정훈;강호철;노영훈;이창희;차국헌;이성훈;배완기;임재훈;이동구
分类号 H01L51/50;H01L51/52 主分类号 H01L51/50
代理机构 代理人
主权项
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