插入绝缘层的方法及制造半导体器件的方法

摘要

一种插入绝缘层的方法包括：在金属层上生长石墨烯层；通过在第一压力和第一温度下加热第一材料而在金属层和石墨烯层之间插入第一材料；以及通过在不同于第一压力的第二压力和不同于第一温度的第二温度下加热第二材料而在金属层和石墨烯层之间插入第二材料。因此，第一材料和第二材料彼此化学地键合以形成绝缘层，该绝缘层可以在金属层和石墨烯层之间。

主权项

一种插入绝缘层的方法，包括：在金属层上生长石墨烯层；在所述石墨烯层的表面上沉积第一材料；通过在第一压力和第一温度下加热所述第一材料而在所述石墨烯层和所述金属层之间插入所述第一材料；在所述石墨烯层的所述表面上方沉积第二材料；和通过在不同于所述第一压力的第二压力和不同于所述第一温度的第二温度下加热所述第二材料而在所述石墨烯层和所述金属层之间插入所述第二材料，从而在所述金属层和所述石墨烯层之间形成第一绝缘层，所述第一材料和所述第二材料彼此化学地键合。