发明名称 |
一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件 |
摘要 |
本实用新型提供一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件,所述器件包括:半绝缘GaAs衬底;位于该衬底上表面的GaAs缓冲层;位于该缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于该下接触层表面的有源区;位于有源区表面的n型重掺杂上接触层;位于n型重掺杂上接触层表面且各自分隔的第一、第二、第三上电极金属层,第一上电极金属层与第二上电极金属层之间设有凹至GaAs缓冲层的深隔离槽,第三上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层;以及位于n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。通过本实用新型提供的一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件,解决了现有技术中无法测得THz QCL在可工作电流密度范围内完整的增益谱变化情况的问题。 |
申请公布号 |
CN205583368U |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201620346187.5 |
申请日期 |
2016.04.22 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
徐天鸿;曹俊诚 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件,其特征在于,所述增益谱测量器件包括:半绝缘GaAs衬底;位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层;位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于所述n型重掺杂下接触层表面的有源区;位于所述有源区表面的n型重掺杂上接触层;位于所述n型重掺杂上接触层表面且各自分隔的第一、第二、第三上电极金属层,所述第一上电极金属层与所述第二上电极金属层之间设有凹至GaAs缓冲层的深隔离槽,所述第三上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层;以及位于所述n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |