| 摘要 |
Даний винахід стосується кристалізатора (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за , вищезгаданий верхній шар зазнає пластичної або в'язкої деформації. |
