发明名称 |
单分散三元硫化物CuInS<SUB>2</SUB>的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种单分散三元硫化物CuInS<SUB>2</SUB>的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。以烷基胺为表面活性剂,采用化学溶液法制备单分散三元硫化物CuInS<SUB>2</SUB>纳米晶。首先将铜盐、铟盐、硫源及烷基胺分散于溶剂中,制备反应液,然后将配制好的反应液进行溶剂热处理,即可得到形貌规则的单分散三元硫化物CuInS<SUB>2</SUB>纳米晶。本发明方法简单、成本低,可以大规模的合成单分散的CuInS<SUB>2</SUB>纳米晶。制备所得的CuInS<SUB>2</SUB>纳米晶为多面体形状,其尺寸大小为13-17纳米,且可以在大范围内自组装形成单层的纳米超晶格。 |
申请公布号 |
CN101054198A |
申请公布日期 |
2007.10.17 |
申请号 |
CN200710040757.3 |
申请日期 |
2007.05.17 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
杜卫民;钱雪峰 |
分类号 |
C01G3/12(2006.01);C01G15/00(2006.01);B82B3/00(2006.01) |
主分类号 |
C01G3/12(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
毛翠莹 |
主权项 |
1、一种单分散三元硫化物CuInS2的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)化学反应液的配制: 将铜盐、铟盐、表面活性剂烷基胺、二硫化碳混合溶于苯甲醚中,配制成反应液;其中铜盐的浓度为0.01~0.05mol·l-1,铟盐与铜盐的摩尔比为1∶1,表面活性剂与铜盐的摩尔比为6~15,二硫化碳与铜盐的摩尔比为20~40; 2)单分散三元硫化物CuInS2纳米晶的合成:将反应液移入带有聚四氟乙烯内胆的高压反应釜,于200℃溶剂热处理12-24小时后,自然冷却到60-70℃,加入反应液总体积20~30%的甲醇,将产物离心分离,用无水乙醇洗涤数次,真空抽干,即获得单分散三元硫化物CuInS2纳米晶。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |