Integrierter Schaltkreis mit NAND-Speicherzellen-Strängen

摘要

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen allgemein integrierte Schaltkreise und Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises. In einer Ausführungsform der Erfindung wird einbereitgestellt. Die Speicherzelle kann aufweisen: einen Graben in einem Träger, eine Ladungsfänger-Schicht-Struktur in dem Graben, wobei die Ladungsfänger-Schicht-Struktur mindestens zwei getrennte Ladungsfänger-Bereiche aufweist, elektrisch leitfähiges Material, das zumindest teilweise in den Graben gefüllt ist, und Source/Drain-Bereiche neben dem Graben.