发明名称 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
摘要 本发明涉及一种氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法,是在氮化镓膜层上形成导电透明膜,再在该导电透明膜上利用离子扩散方式,以在氮化镓膜层表层上形成电气特性相反的透明导电异质接口,以及在该透明导电异质接口的表面铺设一金属厚膜,以用于后续制程打线,因此使用上述的离子扩散方式利用电子、电子空穴的穿隧效应,改善该异质接口的费米能阶位置以形成一欧姆接触电极。
申请公布号 CN1641895A 申请公布日期 2005.07.20
申请号 CN200410000889.X 申请日期 2004.01.18
申请人 泰谷光电科技股份有限公司 发明人 彭隆瀚;巫汉敏;王菘豊;张家玮;林晋逸
分类号 H01L33/00;H01S5/00;H01L21/28 主分类号 H01L33/00
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余刚
主权项 1.一种氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法,是在氮化镓膜层(10)上形成导电透明膜(20),其特征在于以下步骤:(a)在所述氮化镓膜层(10)表面形成一具有高功函数的所述导电透明膜(20);(b)在所述导电透明膜(20)上利用离子扩散方式,以在所述氮化镓膜层(10)表层上形成电气特性相反的透明导电异质接口(21);以及(c)在所述透明导电异质接口(21)的表面铺设一金属厚膜(30),以用于后序制程打线;因此使用所述离子扩散方式利用电子、电子空穴的穿隧效应,使所述异质接口(21)形成一欧姆接触电极。
地址 台湾省南投县