一种用于以物理气相传输沉淀法生长单晶用的单晶生长设备

摘要

本申请公开了一种用于物理气相传输法生长单晶用的单晶生长设备，包括管状的真空生长室，高频或中频电源、真空系统、气压控制系统，放置单晶原料粉以及被生长的原始单晶体的石墨坩埚、感应加热线圈、密封真空生长室上、下端的法兰盘，其特征在于，所述管状的真空生长室由陶瓷材料制成。由于本发明的单晶生长设备中采用了工业陶瓷制作的真空生长室，使真空生长室的机械强度高、不易碎裂，也没有石英玻璃管微晶化的问题，单晶生长设备可以可靠地在高温环境下工作，且价格低，降低了设备成本。

主权项

1.一种用于物理气相传输沉淀法生长单晶用的单晶生长设备，包括管状的真空生长室，高频或中频电源、真空系统、气压控制系统，放置单晶原料粉末以及被生长的原始单晶体的石墨坩埚、感应加热线圈、密封真空生长室上、下端口的法兰盘，其特征在于，所述管状的真空生长室由陶瓷材料制成。