发明名称 同步型半导体存储器
摘要 本发明提供这样一种同步型半导体存储器,其中通过外部控制信号的控制,对于1个数据读出信号,与外部时钟信号同步地依次从存储单元7读出对应于多个地址的各数据,同时对于1个读出信号也能只输出对应于外部地址的1个数据。该同步型半导体存储器具备控制电路16、17、18,这些控制电路这样来进行控制:根据从外部输入的控制信号,对于1个数据读出信号,从上述存储单元7只输出对应于1个地址的数据。
申请公布号 CN100403449C 申请公布日期 2008.07.16
申请号 CN99105341.9 申请日期 1999.04.30
申请人 三菱电机株式会社 发明人 津田信浩
分类号 G11C11/40(2006.01);G01R31/28(2006.01) 主分类号 G11C11/40(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;叶恺东
主权项 1.一种同步型半导体存储器,其设有:能进行数据读写的数据存储部;对应从外部输入的读出信号,生成与外部时钟信号同步的第1读出时钟信号的第1读出时钟信号生成电路;对应所述读出信号,生成具有与所述外部时钟信号同步的多个脉冲的第2读出时钟信号的第2读出时钟信号生成电路;对应从外部输入的控制信号,生成包括基于所述第1读出时钟信号的1个地址信息或基于第1和第2读出时钟信号的多个地址信息的地址信号的地址信号生成电路;生成响应所述控制信号和所述外部时钟信号的传送控制信号的传送控制信号生成电路;对应所述控制信号,选择并输出与所述外部时钟信号同步的第1输出控制信号和从外部输入的第2输出控制信号中任一方的选择电路;对应所述传送控制信号,对响应所述数据存储部的所述地址信号的读出数据进行保持并传送的寄存器电路;对应所述选择电路中选择的所述第1或第2输出控制信号中任一方,将所述寄存器电路传送的读出数据输出到外部的缓冲电路,其中,对应所述控制信号,可读出响应所述1个或多个地址信息的所述数据存储部中的数据。
地址 日本东京都