发明名称 Abschlussstruktur
摘要 <p>A power semiconductor device having a termination structure that includes a polysilicon field plate, a metallic field plate, and a polysilicon equipotential ring.</p>
申请公布号 DE112006002431(T5) 申请公布日期 2008.07.17
申请号 DE20061102431T 申请日期 2006.09.15
申请人 INTERNATIONAL RECTIFIER CORP. 发明人 CAO, JIANJUN;AMANI, NAZANIN
分类号 H01L29/80 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
主权项
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