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Abschlussstruktur
摘要
<p>A power semiconductor device having a termination structure that includes a polysilicon field plate, a metallic field plate, and a polysilicon equipotential ring.</p>
申请公布号
DE112006002431(T5)
申请公布日期
2008.07.17
申请号
DE20061102431T
申请日期
2006.09.15
申请人
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP.
发明人
CAO, JIANJUN;AMANI, NAZANIN
分类号
H01L29/80
主分类号
H01L29/80
代理机构
代理人
主权项
地址
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