发明名称 |
存储器写操作方法和电路 |
摘要 |
在一些实施例中,可以从字线驱动器升压和/或从位线访问晶体管升压获得写字线升压。 |
申请公布号 |
CN102959633B |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201180031189.5 |
申请日期 |
2011.06.15 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
J.P.库尔卡尼;M.M.赫拉;B.M.郭伊斯肯斯;A.雷乔扈里;T.卡尼克;V.K.德 |
分类号 |
G11C8/08(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I;G11C7/12(2006.01)I |
主分类号 |
G11C8/08(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
马永利;李浩 |
主权项 |
一种用于存储器写操作的设备,包括:字线上的存储单元;以及耦合至所述字线的驱动器电路,所述驱动器电路针对解除断言的状态而将所述字线耦合至接地参考,以及针对写操作而将所述字线初始地耦合至供电参考并且然后使所述字线浮动以对所述字线进行电容性升压,其中所述驱动器电路包括在所述解除断言的状态期间将所述字线耦合至所述接地参考的第一晶体管和在写操作期间将所述字线初始地耦合至所述供电参考的第二晶体管,其中叠加电容被用来生成所述电容性升压,所述叠加电容是所述第二晶体管的固有寄生部分。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |