| 发明名称 | 一种氧化钨铅笔状纳米结构阵列的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化钨铅笔状纳米结构阵列的生长方法。以金属钨粉末和氧化钨粉末为蒸发源，以耐高温的材料为衬底，氧化钨铅笔状纳米结构合成在加热装置里进行。在真空环境中，在保护气氛环境下，通入小量的氧气，采用多步加热方法控制蒸发源和衬底的温度，在衬底上依次生长形成氧化钨纳米核、纳米棒阵列、低密度纳米棒阵列和铅笔状纳米结构阵列。本方法可以推广应用到基于热蒸发沉积法的、其它材料铅笔状纳米结构的制备。铅笔状纳米结构具有高的电场增强因子，可以在低电场下获得场致电子发射的性能，它可以作为冷阴极材料应用在冷阴极电子源、场发射平板显示器和冷阴极发光器件上。 | ||
| 申请公布号 | CN101353816A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810029310.0 | 申请日期 | 2008.07.08 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 许宁生;李政林;邓少芝;陈军 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01);C30B23/00(2006.01);C30B25/00(2006.01);C30B29/62(2006.01);C01G41/02(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/16(2006.01) |
| 代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 华辉 |
| 主权项 | 1、一种氧化钨铅笔状纳米结构阵列的生长方法，其特征在于：在真空环境中，在保护气氛环境下，通入小量的氧气，采用多步加热方法控制钨蒸发源和衬底的温度，在衬底上依次生长形成氧化钨纳米核、纳米棒阵列、低密度纳米棒阵列和铅笔状纳米结构阵列。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市新港西路135号 | ||