| 发明名称 | 一种MOS管驱动电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型一种MOS管驱动电路，包括有MOS管、驱动该MOS管的驱动信号、连接驱动信号的延时单元、三极管Q1、三极管Q2，以及通过电阻R1与延时单元连接的三极管Q3；其中，驱动信号通过电阻R2与三极管Q1、三极管Q2的基极相连，三极管Q1、三极管Q2的发射极分别通过电阻R3、电阻R4连接至MOS管的栅极，而三极管Q3的发射极通过电阻R5连接至MOS管的栅极，通过切换驱动电流来抑制MOS管在开通过程产生的浪涌，减小开通时的噪声，避免使用昂贵的专用驱动芯片，降低了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN201210669Y | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200820094566.5 | 申请日期 | 2008.06.06 |
| 申请人 | 深圳创维-RGB电子有限公司 | 发明人 | 黄奔驰;李斌家 |
| 分类号 | H03K17/687(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I;H03K17/16(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/687(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡朝阳;孙洁敏 |
| 主权项 | 1. 一种MOS管驱动电路，包括有MOS管和驱动该MOS管的驱动信号，其特征在于：还包括有连接驱动信号的延时单元、三极管Q1、三极管Q2，以及通过电阻R1与延时单元连接的三极管Q3；其中，驱动信号通过电阻R2与三极管Q1、三极管Q2的基极相连，三极管Q1、三极管Q2的发射极分别通过电阻R3、电阻R4连接至MOS管的栅极，而三极管Q3的发射极通过电阻R5连接至MOS管的栅极。 | ||
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区高新南一道创维大厦A13-16层 | ||