| 摘要 |
本発明の目的は、ドレイン・ソース電極間を流れる電流の低下を抑制しつつ、ゲート絶縁膜の絶縁破壊電圧が高いトランジスタを提供することである。トランジスタ１００は、半導体層２と、半導体層２上に形成されたゲート絶縁膜７と、ゲート絶縁膜７上に形成されたゲート電極８と、半導体層２上にゲート電極８を挟んで形成されたソース電極５およびドレイン電極６を備え、ゲート絶縁膜７に含まれる不純物の濃度が、ゲート絶縁膜７の半導体層２側の表面からゲート絶縁膜７のゲート電極８側の表面にかけて減少していることを特徴とする。 |
