改善惯性传感器中金属损失的方法

摘要

本发明提供一种改善惯性传感器中金属损失的方法，通过在MEMS器件的键合工艺之前，先在器件表面制备一层有机物薄膜，以作为后续硅通孔刻蚀工艺中的保护层，保护其下方的金属层不被过刻蚀，并且，在硅通孔刻蚀工艺完成之后，能够通过氧气等离子体工艺将剩余的位于器件传感区域开口中的有机物薄膜去除，从而保证了金属层的完整性，减少了金属损失，同时又不影响最终所形成的传感器的灵敏度。

主权项

一种改善惯性传感器中金属损失的方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供一待进行MEMS传感器键合工艺的半导体结构，所述半导体结构包括氧化物层和嵌入所述氧化物层设置的金属层，所述氧化物层中设置有接触区域开口和传感区域开口，且所述接触区域开口和所述传感区域开口将下方的所述金属层的部分表面暴露；步骤S2、在所述半导体结构的表面制备一层有机物薄膜，以覆盖暴露的所述氧化物层和暴露的所述金属层；步骤S3、去除覆盖于所述氧化物层的顶部表面的有机物薄膜；步骤S4、在去除有机物薄膜的氧化物层的顶部表面键合一硅层；步骤S5、通过光刻工艺和刻蚀工艺在所述硅层中形成与所述接触区域开口连通的通孔；步骤S6、通过刻蚀工艺，在位于所述传感区域开口上方的硅层中形成若干通孔；步骤S7、去除位于传感区域开口和接触区域开口内剩余的所述有机物薄膜。