| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件，具有包含高介电常数栅介电层的核心元件，和包含二氧化硅或其他非高介电常数栅介电层的输入/输出元件。首先，在半导体基材上形成由隔离结构所分隔的核心阱和输入/输出阱。在输入/输出阱上形成包含二氧化硅或其他非高介电常数栅介电层的输入/输出元件。电阻形成在邻接核心阱的隔离结构上。在核心阱上形成包含有高介电常数栅介电层的核心元件，例如电晶体。在一些实施例中，同时形成有p型和n型输入/输出阱。输入/输出元件和其他元件较佳形成于核心元件之前，并且受到牺牲层保护直至核心元件形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101330084A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200710307141.8 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑钧隆;锺昇镇;郑光茗;庄学理;梁孟松 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，其特征在于包括：一核心元件，包括一高介电常数栅介电层形成于一应变硅通道区之上；以及一输入/输出元件，其中该输入/输出元件包括一非高介电常数栅介电层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||