| 发明名称 |
ＩＩＩ−窒化物トランジスタレイアウト |
| 摘要 |
ＧａＮ ＦＥＴ（１２４）を含む半導体デバイス（１００）が、チャネルエリア外側に隔離ゲート構造（１１２）を有し、これは、半導体デバイスの二つの領域間の二次元電子ガスにおける電流をブロックするように動作し得る。隔離ゲート構造（１１２）は、ＧａＮ ＦＥＴのゲートと同時に形成され、ゲートと同じ構造を有する。 |
| 申请公布号 |
JP2016518723(A) |
申请公布日期 |
2016.06.23 |
| 申请号 |
JP20160512988 |
申请日期 |
2014.05.05 |
| 申请人 |
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社;テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド |
发明人 |
サミール ペンハルカル;ナビーン ティピルネニ;ジュンウォー ジョー |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L21/28;H01L29/778;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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