一种半导体封装结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体封装结构的制造方法。该制造方法包括以下步骤：提供一基材；在基材上形成介电层；在介电层上形成再布线层；在再布线层上形成第一端子，其中第一端子包括焊料；提供一芯片，芯片包括芯片主体、设置在芯片主体上的电极以及固定在电极上的金属凸块；利用焊料将金属凸块固定于再布线层上。本发明利用金属凸块取代现有技术中的形成于电极上的球状焊料，并利用形成于再布线层上的第一端子中的焊料将金属凸块固定于再布线层上，可有效避免电极间的桥接以及焊料中的α射线对芯片性能的影响。进一步，通过该制造方法所形成的半导体封装结构中端子的节距减小，使在小尺寸芯片上实现多端子成为可能。

主权项

一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：提供一基材；在所述基材上形成介电层；在所述介电层上形成再布线层；在所述再布线层上形成第一端子，其中所述第一端子包括焊料；提供一芯片，所述芯片包括芯片主体、设置在所述芯片主体上的电极以及固定在所述电极上的金属凸块；利用所述焊料将所述金属凸块固定于所述再布线层上。