| 发明名称 | 真空镊子及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 得到一种能够使吸附前端部容易地接近所希望的吸附对象物、能够抑制产品的成品率降低的真空镊子及半导体装置的制造方法。真空镊子(1)具有镊子主体(2)和激光指示器(8)(光源)。镊子主体(2)具有对半导体芯片(5)(吸附对象物)进行真空吸附的吸附前端部(6)。激光指示器(8)使激光(11)(光)在吸附前端部(6)的延长线(10)上的、真空吸附力起作用的位置处聚光。 | ||
| 申请公布号 | CN105904357A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201610104646.3 | 申请日期 | 2016.02.25 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 住谷光一 |
| 分类号 | B25B11/00(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | B25B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种真空镊子，其特征在于，具有：镊子主体，其具有对吸附对象物进行真空吸附的吸附前端部；以及光源，其使光在所述吸附前端部的延长线上的、真空吸附力起作用的位置处聚光。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||