| 发明名称 | 沉积碳化硅和陶瓷薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 公开了在基材上沉积陶瓷薄膜、特别是碳化硅薄膜的方法，其中残余应力、残余应力梯度和电阻率得到控制。还公开了具有沉积的薄膜的基材，所述薄膜具有这些控制的性能，还公开了含有具有薄膜的基材的装置、特别是MEMS和NEMS装置，所述薄膜具有这些性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1906735A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200480040597.7 | 申请日期 | 2004.11.05 |
| 申请人 | 卡斯西部储备大学 | 发明人 | M·梅雷加尼;C·A·佐尔曼;傅小安;J·L·邓宁 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01);C23C16/32(2006.01);C23C16/52(2006.01);B81B3/00(2006.01);G02B26/08(2006.01) | 主分类号 | H01L21/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.一种在基材上通过化学蒸气沉积方法沉积碳化硅的方法，其包括：(a)在反应室中放置至少一个基材；(b)以预定的固定流量将硅前体提供到反应室；(c)以预定的固定的流量将碳前体提供到反应室；(d)通过控制反应室中的压力控制沉积的碳化硅薄膜中的应力。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||