| 发明名称 | 单掩模相变化存储元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种存储器件，包括：存储元件阵列，其形成于半导体晶片上；字线平行阵列，其沿着第一方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源；以及位线平行阵列，其沿着第二方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源，第二方向与第一方向形成锐角。每一位线与每一存储元件之间的连结为相变化元素，此相变化元素由具有至少二固态相的存储材料所形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101079438A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200710105141.X | 申请日期 | 2007.05.24 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜;刘瑞琛;陈逸舟;陈士弘 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/528(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，包括：存储元件阵列，其形成于半导体晶片上；字线平行阵列，其沿着第一方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源；位线平行阵列，其沿着第二方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源，该第二方向与该第一方向形成锐角；以及其中每一该位线与每一该存储元件之间的连结为相变化元素，该相变化元素由具有至少二固态相的存储材料所形成。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||