| 发明名称 | 等离子加工装置和方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子加工装置和方法，其中吹送部件(152)设置有吹风口(Ia’)，该吹风口的尺寸小到不允许吹送的气流被直接地吹送到晶片W的部分上，该晶片W的部分比晶片W的外边缘更位于晶片的中心侧并且不进行等离子加工。吸入件(151)设置有与吹送部件(152)相联的吸入口(81A)。吸入口(81A)靠近吹风口(Ia’)设置并形成相对于吹送气流大致在相反方向上取向的抽吸气流。 | ||
| 申请公布号 | CN101145508A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200710169240.4 | 申请日期 | 2004.03.04 |
| 申请人 | 积水化学工业株式会社 | 发明人 | 野上光秀;宫本荣司 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/67(2006.01);C23C16/513(2006.01);C23C16/509(2006.01);C23F4/00(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种等离子加工装置，其中加工气体通过形成在一对电极之间的气体通道并等离子化，然后被等离子化的气体通过连接到气体通道的吹风口被吹送，这样晶片的外边进行等离子化加工，其中所述吹风口包括与所述晶片相交的端口轴，所述端口的直径尺寸或者宽度很小，以不允许所述吹送的气流被直接吹送到所述晶片的一部分，所述部分比所述晶片的外边更靠晶片的外侧并不进行等离子加工，以及用于相对吹送气流通常在反向方向上取向形成抽吸气流的抽吸端口被靠近所述吹风口所形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||