Rückseitenbelichtungssensor mit einer Bonding-Flächenstruktur und Herstellungsverfahren für denselben

摘要

Eine Halbleiterstruktur, umfassend: – ein Vorrichtungssubstrat (210) mit einer Vorderseite (212) und einer Rückseite (214); – eine Verbindungsstruktur (230), die auf der Vorderseite (212) des Vorrichtungssubstrats (210) angeordnet ist; – eine STI-Schicht (222), die zwischen dem Vorrichtungssubstrat (210) und der Verbindungsstruktur (230) angeordnet ist; und – eine Bonding-Fläche (274), die mit der Verbindungsstruktur (230) verbunden ist, wobei die Bonding-Fläche (274) umfasst: – einen vertieften Bereich (270) in einer dielektrischen Materialschicht (232, 234, 236, 238, 240, 264), der sich durch die STI-Schicht (222) hindurch erstreckt; – eine dielektrische Mesa (272) der dielektrischen Materialschicht (232, 234, 236, 238, 240, 264) zwischen dem vertieften Bereich (270); und – eine Metallschicht, die auf der dielektrischen Mesa (272) aufgebracht ist und den vertieften Bereich (270) teilweise ausfüllt und eine Metallstruktur (242, 244, 246, 248) der Verbindungsstruktur (230) im vertieften Bereich (270) kontraktiert.